芯片上法拉第笼

本发明公开了一种芯片上法拉第笼，该芯片上法拉第笼包括：芯片上的衬底层和金属层；衬底层包括深N阱，第一N阱、第二N阱、第一P阱和第二P阱；衬底层的第一N阱、第二N阱分别与深N阱电连接；通过离子注入工艺在衬底层形成深N阱，N阱和P阱，其中N阱注入N型掺杂，P阱注入P型掺杂；金属层与衬底层的第一N阱、第二N阱、第一P阱和第二P阱连接；金属层之间的通孔为交错排布。本发明可实现噪声和电磁干扰双向隔离。