一种多芯片堆叠式双面散热碳化硅功率模块

本发明提供了一种多芯片堆叠式双面散热碳化硅功率模块，涉及芯片封装技术领域，该功率模块包括依次设置有上铜图形层、氮化铝陶瓷层和下导电铜层的第一DBC基板和第二DBC基板、负直流端子、交流端子、正直流端子；其中第一DBC基板和第二DBC基板的上铜图形层相对设置，且上铜图形层上均设置有多个SiC芯片。其集成上下两层DBC基板，DBC基板采用芯片堆叠增加了芯片的并联数量，且实现了双面散热，能够并联更多的芯片，提高了功率模块的功率密度。且采用端子替代了大部分引线键合降低了寄生电感，并根据电路拓扑设计端子来实现芯片之间互连和芯片与端子的互连，并且所提出的结构可以有效地实现芯片之间和芯片上下两侧的杂散电感相似，降低了模块的杂散电感。