一种碳化硅功率模块的封装结构及封装方法

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅功率模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括底板；半绝缘碳化硅双面镀铜基板通过真空回流焊连接在底板上；碳化硅功率模块包括两个半桥电路结构，每个半桥电路结构均包括六个第一碳化硅芯片和六个第二碳化硅芯片；其中，三个第一碳化硅芯片和三个第二碳化硅芯片通过真空回流焊连接在一个半绝缘碳化硅双面镀铜基板上；相邻的第一碳化硅芯片和第二碳化硅芯片通过键合线连接；两个半绝缘碳化硅双面镀铜基板通过键合线连接。本发明在降低热阻的基础上，提高碳化硅功率模块的散热效率和使用寿命，解决目前功率模块存在着较大热阻，从而影响功率器件的可靠性，使用寿命和工作温度的问题。