高密度芯片封装结构及其制备方法

本发明提供的高密度芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该高密度芯片封装结构包括第一衬底、第一芯片、第二芯片、第三芯片、芯片堆叠模组和塑封体，将第一散热柱设置在第一衬底上，第三芯片的背面设置在第一散热柱上，而第二芯片的正面还设置有第二散热柱。芯片堆叠模组堆叠设置在第二芯片和第三芯片上，且芯片堆叠模组的底侧设置有第一导电柱和第二导电柱。相较于现有技术，本发明通过预先在芯片堆叠模组上设计第一导电柱和第二导电柱，采用模块化封装，能够大幅提升堆叠密度和封装集成度。并且，第一散热柱和第二散热柱的设置，能够大幅提升整体结构的散热效果，并且提升塑封体与芯片之间的结合力，提升结构稳定性。