一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片

本申请涉及一种外延结构及其制备方法、VCSEL芯片，包括：层叠设置的第一布拉格反射层及第二布拉格反射层、有源层，其中，第一布拉格反射层及第二布拉格反射层具有不同的导电类型；有源层位于第一布拉格反射层以及第二布拉格反射层之间，有源层包括多个交替堆叠的垒层和阱层，每一阱层和与其相邻的两个垒层构成一量子阱，阱层和垒层的组分和/或厚度被设计以使每个量子阱在预设能级处形成的态密度基本相同。本申请的外延结构及其制备方法、VCSEL芯片使各量子阱的载流子均匀分布，从而显著提升了激光器件的辐射复合效率和光场均匀性。