一种适用于ReRAM存储器的Polar码优化构造方法

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一种适用于ReRAM存储器的Polar码优化构造方法
申请号:CN202510815082
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120811404A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种适用于ReRAM存储器的Polar码优化构造方法,包括:构建了基于ReRAM选择器失效后潜通路径再次发生问题的信道模型;通过蒙特卡洛实验,根据预设的种群初始大小,码长与码率得到所有种群对应的误码率以及潜通路径发生的概率;根据NSGA‑II算法对潜通路径发生概率以及误码率进行排序。随机选择初始种群进行交叉,得到新的个体。对于排序中表现比较差的个体进行变异,对得到的所有个体进行综合排序,选择最优个体作为极化码的构造。本发明独立于实际的信道,综合考虑了误码率以及潜通路径发生的概率,所构造的极化码可以在ReRAM信道下实现更优秀的性能。
技术关键词
优化构造方法 误码率 信道 译码 遗传算法 索引 构造极化码 生成随机 蒙特卡洛 存储器 编码 构造算法 阵列 交叉点 染色体 策略 序列 数据
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