一种碳化硅功率器件封装结构

本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种碳化硅功率器件封装结构，包括基板，基板的顶部开设有矩形的第一安装槽，所述第一安装槽的四周侧壁上均开设有用于注胶的第一缺口；陶瓷环，固定安装于所述基板顶部，所述陶瓷环为矩形，且第一安装槽位于陶瓷环的内侧；碳化硅芯片本体，安装于所述第一安装槽中，所述碳化硅芯片本体的底部设置有将其向上推动的顶起组件。相较于现有的封装结构而言，本发明通过顶起组件使得碳化硅芯片本体能够与均热板板保持紧密贴合，从而省去了现有芯片与散热部件之间的焊料层，提升了碳化硅芯片本体热量向均热板的传递效率，进而保证了对碳化硅芯片本体的散热效果和散热效率。