一种集合式全桥碳化硅模块及其制作方法

本发明公开了一种集合式全桥碳化硅模块及其制作方法，包括安装座，所述安装座内设置有三块基相板，所述基相板包括呈叠层式布局的底基板和顶基板，所述底基板设置有输出区和处理区，所述输出区和所述处理区均设置有芯片板和连接板，所述顶基板上设置有两块分别端子部；所述芯片板上设置有六块碳化硅芯片，六块所述碳化硅芯片均分为两组相配合的芯片组，所述碳化硅芯片的栅极和源级连接至所述端子部；所述输出区上芯片板的芯片组连接至所述输出区的连接板和所述处理区上芯片板，所述处理区上芯片板的芯片组连接至所述处理区的连接板；通过叠层式设计极大提高了功率器件的空间利用率，缩小器件体积，提高了功率密度。