一种FOW工艺中晶圆切割后避免相邻芯片黏连的方法

本发明公开了一种FOW工艺中晶圆切割后避免相邻芯片黏连的方法，所述晶圆切割是采用两刀两次式切割形成切割道的，所述方法是通过对第二次切割时用的刀具的厚度规格进行选型，增加第二次切割时用的刀具的厚度D，以增加最终形成的切割道的宽度G，从而使得位于所述切割道相对两侧的FOW膜底侧部延展至最终位置后也不会相互接触。使用本方法切割后的晶圆，在常温环境条件下进行长期的存放过程中也能避免出现芯片黏连的问题，而且无需增加其他模具或是步骤来实现，实用性强，提高了产品的良品率，大大降低了生产成本。