一种减少片式陶瓷芯片侧面弯曲程度的方法

本发明公开一种减少片式陶瓷芯片侧面弯曲程度的方法，包括如下步骤：（1）测量已制备完成的片式陶瓷芯片的弯曲方向；（2）烧结前，在片式芯片生瓷片靠近内凹的一侧印刷低收缩率浆料和/或在生瓷片靠近外凸的一侧印刷高收缩率浆料；所述低收缩率浆料的烧结收缩率低于生瓷片的烧结收缩率；所述高收缩率浆料的烧结收缩率高于生瓷片的烧结收缩率。本发明通过印刷阶段在陶瓷芯片的生瓷片上增加印刷具有不同烧结收缩率的结构层，并调整其在片式陶瓷芯片宽度方向上的分布位置，能够降低片式陶瓷芯片在宽度方向的烧结收缩差异，实现片式陶瓷芯片侧面弯曲程度的减小。