一种充电器的电磁干扰方法及GaN充电器

本发明公开了一种充电器的电磁干扰方法及GaN充电器，包括：在充电器内部设置多层复合电磁屏蔽结构，用于反射、吸收及缓冲电磁干扰信号；对充电器内的功率电路进行优化布局，用于阻断不同功率电路区域间的电磁耦合干扰；在充电器的输入端口及输出端口设置滤波电路，用于抑制电磁干扰信号；对充电器外壳采用导电涂层处理，导电涂层与充电器内部的接地系统电气连接，以形成封闭的电磁屏蔽空间。形成完整的电磁干扰抑制体系，解决充电器在工作过程中产生的电磁干扰(EM I)问题。