一种大功率低杂散SiC MOSFET模块

本发明公开了一种大功率低杂散SiC MOSFET模块，所述模块包括底层陶瓷基板、顶层陶瓷基板、以及多条桥臂的第一SiC MOSFET芯片和第二SiC MOSFET芯片；编号为奇数的桥臂的第一SiC MOSFET芯片和第二SiC MOSFET芯片对称设于底层陶瓷基板上，且对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区设于底层陶瓷基板上；编号为偶数的桥臂的第一SiC MOSFET芯片和第二SiC MOSFET芯片对称设于顶层陶瓷基板上，且对应的DC+覆铜区、栅极覆铜区、源极覆铜区设于顶层陶瓷基板上。本发明利用支路间电感的相互耦合关系，降低了各个支路的寄生电感。