摘要
本发明公开了一种非互易性声电放大器及其制备方法和应用。本发明的非互易性瑞利波声电放大器的组成包括衬底、AlN/GaN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、ScAlN势垒层、ScAlN声学薄膜、源电极、漏电极、栅电极、叉指换能器和金属互联层,而非互易性兰姆波声电放大器的衬底远离AlN/GaN成核层的那一面还设置有开放空腔和背电极。本发明的非互易性声电放大器可以实现高对比度、可调节的声波非互易性传输,其具有体积小、隔离度高、可集成性好、稳定性高、可靠性高等优点,且能够与ScAlN/GaN射频前端芯片实现单片集成,可以用于射频通信、声波处理、量子计算等领域,适合进行大规模工业化生产和应用。
技术关键词
放大器
叉指换能器
金属互联层
电极
GaN缓冲层
势垒层
薄膜
射频通信设备
射频前端芯片
氮化镓衬底
金刚石衬底
碳化硅衬底
蓝宝石衬底
空腔
声波
外延
单片
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