一种基于刻蚀技术的半导体截面结构检测方法及系统

本发明属于半导体技术领域，公开一种基于刻蚀技术的半导体截面结构检测方法及系统，包括：运用离子束摇摆切割技术对半导体样品进行不同角度的刻蚀处理，以形成预设的目标结构特征，并同步采集刻蚀过程数据；利用聚焦离子束对刻蚀处理后的半导体样品进行逐层切片，采集各层截面的图像序列，并通过三维重建算法将图像序列转换为半导体样品的三维结构模型；融合三维模型与刻蚀过程数据，构建异构图，利用图注意力机制捕捉异构图中的异构节点间的时空关联特征，并通过建立异构循环机制优化超边权重进行拓扑分析，以生成缺陷空间分布图。本发明结合三维重建算法，还原结构完整性，为后续缺陷分析提供高精度的三维模型支撑。