晶圆湿法蚀刻方法及湿法蚀刻装置

本申请提供一种晶圆湿法蚀刻方法及湿法蚀刻装置，涉及半导体湿法蚀刻技术领域，方法包括：提供一晶圆；在晶圆上形成目标蚀刻层，向目标蚀刻层加入监控元素，形成监控目标蚀刻层，监控元素为与目标蚀刻层的组成元素不交叠的非金属元素，监控元素的掺杂浓度小于等于100ppm；将形成有监控目标蚀刻层的晶圆置于蚀刻液中；按照预设频率获取晶圆表面的监控元素离子浓度信号；将获取到的监控元素离子浓度信号与预设阈值进行比对，当监控元素离子浓度信号大于预设阈值时，判断监控目标蚀刻层的蚀刻终点到达，并将晶圆从蚀刻液中取出。能够提升晶圆前端工艺中湿法蚀刻时间的控制精确度，动态制定较为准确的蚀刻终点，提高湿法蚀刻的效果。