一种闪存块的管理方法及存储系统

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一种闪存块的管理方法及存储系统
申请号:CN202510855023
申请日期:2025-06-25
公开号:CN120371222B
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种闪存块的管理方法及存储系统,属于存储技术领域。所述管理方法包括:当闪存块中存在闪存页的错误数据的数量超过设定阈值时,将闪存块的工作模式从正常工作模式调整为伪单层单元模式,形成低性能闪存块;在收到低性能闪存块的验证触发信号时,将空置的低性能闪存块的供电电压从标准电压降低至弱电电压,并将空置的低性能闪存块从伪单层单元模式切换为正常工作模式,向空置的低性能闪存块中写入数据,以验证低性能闪存块是否达到验证标准;以及重复验证低性能闪存块是否达到验证标准,当低性能闪存块达到验证标准的次数达到预设次数时,将低性能闪存块作为常规闪存块使用。通过本发明提供的闪存块的管理方法,可延长存储芯片的寿命。
技术关键词
存储芯片 管理方法 存储系统 模式 二极管 单层 供电电路导通 电压 弱电 电源 数据 信号 存储单元 控制器 存储技术 电子设备 垃圾 主机 负极
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