芯片老化补偿方法、装置、设备和存储介质

本申请提供了一种芯片老化补偿方法、装置、设备和存储介质，所述方法应用于芯片硅后测试阶段或芯片使用阶段，所述方法包括：获取所述芯片的频率退化率；在所述芯片的频率退化率大于预设阈值的情况下，基于所述芯片的频率退化率与补偿电压之间的对应关系，获取所述芯片的频率退化率所对应的目标补偿电压，以通过所述目标补偿电压实现对所述芯片的老化补偿。该方法能够提高芯片老化补偿的有效性和准确性，并且其硬件成本更低、资源利用率更高。