一种多晶硅生产环境的控制系统及方法

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一种多晶硅生产环境的控制系统及方法
申请号:CN202510891720
申请日期:2025-06-27
公开号:CN120746385A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明实施例公开一种多晶硅生产环境的控制系统和方法。该系统包括自主决策控制子系统、云端数字孪生子系统、多个智能边缘计算子系统及多个多模态感知子系统;多模态感知子系统将多维度传感数据发送给智能边缘计算子系统;智能边缘计算子系统对多维度传感数据进行向量融合;以及,用于根据融合向量得到的数据,确定多晶硅生产环境的当前工艺状态;云端数字孪生子系统用于根据当前工艺状态,预测多晶硅生产环境的未来工艺状态;自主决策控制子系统用于根据当前工艺状态和未来工艺状态,制定相应的多晶硅生产参数控制策略;还用于根据多晶硅生产参数控制策略,对多晶硅生产环境进行控制。该系统能够满足对多晶硅生产环境的全面、同步监测需求。
技术关键词
多晶硅 子系统 控制策略 量子点 数据 光谱成像 多模态 传感 控制系统 成像单元 粉尘 分布式异构计算 位错缺陷 Mie散射理论 还原炉 三氯氢硅 裂纹缺陷 云端
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