一种用于2T0C DRAM的垂直沟道薄膜晶体管及其制造方法

本发明公开了一种用于2T0C DRAM的垂直沟道薄膜晶体管及其制造方法，所述晶体管采用多孔垂直沟道设计，包括衬底、沉积在所述衬底上的源极、覆盖所述源极的层间电介质层、沉积在所述层间电介质层表面的栅极介质层以及设置在所述栅极介质层内部的漏极，所述漏极形成圆锥环形状；所述层间电介质层内形成垂直圆柱形沟道，且所述沟道的底部位于所述源极的内部；所述垂直圆柱形沟道内部填充有有源层。本发明通过分布式栅极控制显著增强了栅极的调控能力，有效抑制了短沟道效应，同时大幅提高了饱和电流密度，该晶体管在性能上得到了显著提升，适用于人工智能加速器、存算一体芯片及高带宽存储器等领域，能够满足高性能计算和存储应用的需求。