一种热电一体化的透射电镜原位高频测试芯片

本发明涉及一种热电一体化的透射电镜原位高频测试芯片，包括：硅基片，其表面具有绝缘层；设于硅基片上的观测窗口位置的氮化硅薄膜；位于所述硅基片正面的绝缘层上的高频电路，其包括第一输入电极与第一接地电极，所述第一输入电极在靠近样品区域通过倒U形的样品并联电阻连接；以及位于所述硅基片一侧表面的绝缘层上的加热电路，其形成曲折形电阻结构，并包括至少一个第二输入电极与一个第二接地电极。与现有技术相比，本发明将加热与高频电学测量集成于同一芯片，可实现23‑700℃，0‑3GHz下样品的同步温度调控和高频信号测试。