新型集成电路重工方法

本发明公开了新型集成电路重工方法，属于集成电路重工技术领域，将切割后出现异常的芯片重新固定于膜上，将承载芯片的膜浸泡在冰醋酸溶液中并进行振荡处理，使溶液循环，将浸泡后的膜进行清洗，并进行惰性气体吹干，通过将晶圆切割后引起的氧化现象进行处理，将氧化异常的芯片重新固定于膜上，再将产品进行冰醋酸浸泡并进行振荡处理，最后采用去离子水清洗，以惰性气体吹干，去水汽后，通过UV光照或者烘烤，使UV膜或热解膜失去粘性，以便将处理好的芯片取下，通过本发明方法能够有效去除芯片表面产生的氧化层，且适用于各类铜氧化导致的异常，代替了传统蚀刻工艺并且简化了制程步骤，节约时间，方便操作。