一种磁控溅射参数的调整方法、装置、电子设备及存储介质

本发明公开了一种磁控溅射参数的调整方法、装置、电子设备及存储介质，通过Bi‑LSTM网络提取工艺参数的时序特征，很好地捕捉薄膜制备过程中的动态变化，进而通过时序特征被有效地提取和分析，提升了靶材寿命预测的准确性；同时引入靶材的当前寿命进行溅射效果分析，比仅使用工艺参数通过全连接网络进行薄膜性能分析的准确性更高。将寿命预测结果与溅射效果评价指标的生成统一在一个网络模型的一次推理过程中，提高了参数调整效率。引入遗传算法对Bi‑LSTM网络进行优化，且根据磁控溅射参数对遗传算法进行了深度定制，进一步提高了预测模型的效率、准确度及泛化能力。