LDMOSFET器件及制造方法、芯片

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、隔离区、源区、漏区和栅极结构，栅极结构包括第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层位于体区和漂移区的上方，ONO介质层位于第一多晶硅层的表面，第二多晶硅层位于ONO介质层的表面；第一多晶硅层的一端和ONO介质层的一端与隔离区相接，第一多晶硅层作为浮动栅，第二多晶硅层作为控制栅，第一多晶硅层、ONO介质层与隔离区构成场板结构；本发明集成了LDMOS和存储器的功能，ONO介质层捕获的电荷容易被吸引进入浮动栅并存储在浮动栅中，从而控制器件的开启，同时提高器件的击穿电压。