喷墨芯片结构

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喷墨芯片结构
申请号:CN202510275380
申请日期:2025-03-10
公开号:CN120840252A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
为改善现有的喷墨芯片中加热电阻层、导电层交界处的两层倾斜阶梯状架构中,其机械强度、使用寿命、节能性与生产良率的不足,本发明提出一种新颖的喷墨芯片结构,结构包括:基板层、加热电阻器,与一保护层。其中加热电阻器,设于基板层上,而保护层则覆盖于加热电阻器上。上述中加热电阻器具有加热电阻层和介电层,该介电层之上,即保护层开设有数个凹陷结构。此外,加热电阻层周遭设置有连接层,所述连接层以俯视视角观的呈矩形构型,在加热电阻层的各个方向均有两个以上,且所有连接层的其中一边的边长均为固定尺寸。
技术关键词
喷墨芯片 加热电阻器 电阻层 导电层 凹陷结构 氮化钽 基板 五氧化二铌 多晶硅材料 钛钨合金 氮化钛 二氧化铪 金属材料 碳化硅 二氧化锆 氧化铟锡 硫化镉 墨水
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