摘要
本发明涉及封装结构技术领域,尤其涉及一种多晶粒芯片封装结构的制造方法。步骤:硅晶圆包含Die C,用拾放工艺将Die A和Die B粘贴在Die C两侧的硅晶圆上;对Die A和Die B塑封,形成覆盖硅晶圆的塑封层;将塑封层固定在基板上,基板和塑封层之间覆有可控解键合材料,减薄硅晶圆厚度,在硅晶圆上蚀刻通孔,在通孔内沉积形成导电层;在硅晶圆上形成保护层,在保护层表面重布线,将线路与硅晶圆和导电层连接,形成线路层;将凸块制作在保护层上,凸块与线路层连接;用解键合工艺移除基板,得到最终结构;其中,可控解键合材料为微球和BCB树脂复合生成,该微球包括膨胀微球。本发明工艺简单,成本低,良率高。
技术关键词
芯片封装结构
导电层
重布线
膨胀微球
封装结构技术
真空脱泡
线路
翻转基板
绝缘材料
通孔
硅烷偶联剂
蚀刻
层厚度
异丙醇
加热
溶液
光刻
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