微腔增强单光子结构、制备方法及微腔增强光量子芯片

本发明提供一种微腔增强单光子结构、制备方法及微腔增强光量子芯片，通过在波导层附近形成薄膜电阻，并在其两端形成电极，利用薄膜电阻的局域加热效应改变相应的量子点的温度，进而调控量子点的发光波长，通过精确控制薄膜电阻的加热功率，可以实现对量子点发光波长的精准调控，使其能够与微环谐振腔的模式频率精确匹配，从而最大化Purcell效应，提高光子的发射效率，有效解决了现有技术中难以实现量子点发射波长与微环谐振腔模式频率精准匹配的瓶颈问题，同时克服了现有全局调控技术无法对集成光量子芯片中特定位置的单个器件进行局域化、分立式独立调控的局限性。