改善大功率半导体激光器芯片腔体温度分布的波导及半导体激光器芯片

本发明涉及一种半导体激光器芯片的波导，具体为一种改善大功率半导体激光器芯片腔体温度分布的波导及半导体激光器芯片，以解决现有大功率半导体激光器芯片工作时腔体温度过高，而传统解决方式只是被动地缓解了大电流注入引起的腔体高温，并不能从根本上解决大功率半导体激光器芯片工作时腔体温度过高的技术问题。本发明包括自下而上设置的P限制层和脊波导，脊波导的上表面上设置有多个横向隔离槽，作为电绝缘隔离区，将脊波导和部分P限制层划分为沿激光器芯片腔长方向交替分布的多个窗口区和多个激射区，多个窗口区用于低电压电流注入，低电压略小于激光器芯片阈值电压，多个激射区用于高电压电流注入，高电压大于激光器芯片阈值电压。