接触电阻的临界面积预测方法、系统、设备及存储介质

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接触电阻的临界面积预测方法、系统、设备及存储介质
申请号:CN202510987578
申请日期:2025-07-17
公开号:CN120781629A
公开日期:2025-10-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种接触电阻的临界面积预测方法、系统、设备及存储介质,涉及电气连接技术领域,该方法包括:分别构建至少两个目标导体的几何仿真模型,并设置各个几何仿真模型的电气边界条件;根据电气边界条件计算两个几何仿真模型在不同接触面积下的电阻,获得接触电阻;对各个接触面积及其对应的接触电阻进行双对数变换,获得线性拟合方程;根据电阻阈值和线性拟合方程进行反推计算,获得临界面积。本发明通过电导场仿真与对数线性化处理,精准揭示了接触电阻与接触面积间的对数线性关系,基于预设电阻阈值反推安全设计的临界面积,显著提升了临界面积预测精度。
技术关键词
仿真模型 电阻 方程 线性 电气 偏差 导体 基准 处理器 预测系统 界面 可读存储介质 模块 存储器 表达式 电子设备 稳态 计算机 理论 电流
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