一种硅基低驱动电压、高边带抑制比的单边带调制器芯片

本发明涉及一种硅基低驱动电压、高边带抑制比的单边带调制器芯片，包括第一端面耦合器，第二端面耦合器，单边带调制器模块，第一级不等比分束器，监控探测器，硅光开关。本发明在原理上基于硅基光电子芯片的等离子体色散效应，通过载流子注入型调制器结构，通过载流子注入对调制器相位进行高效调控，实现对单边带调制器工作摆幅的降低以及同时保持高边带抑制比；在系统层面，在单边带调制器内部设置了热光移相器配合外部的监控探测器实现对相位的精确调控，同时设置分束器使其能够兼容片上及片外的应用。本发明设计简单，相较于传统方案能够同时兼顾降低功耗、成本以及提升集成度，具有良好的应用前景。