一种考虑孪晶应力场的离散位错动力学建模方法

AITNT
正文
推荐专利
一种考虑孪晶应力场的离散位错动力学建模方法
申请号:CN202510991330
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120510976B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种考虑孪晶应力场的离散位错动力学建模方法,包括:通过塑性变形试验获取目标晶体材料孪晶特征参数,构建包含孪晶域的离散位错动力学几何模型,将塑性变形试验的加载条件作为边界条件施加给几何模型;其中,施加的边界条件通过叠加算法框架分解为无限大连续介质中位错产生的弹性场、用于修正真实边界条件的附加场以及无限大连续介质中孪晶弹性场的叠加,得到目标晶体材料内部塑性变形时产生的位移、应力和应变。基于此,计算位错所受Peach‑Koehler力,并根据计算的Peach‑Koehler力结合其他位错相关机制对目标晶体材料中位错的演化进行迭代修正。如此,能够准确揭示材料塑性变形过程中孪晶‑位错相互作用的影响。
技术关键词
动力学建模方法 应力场 叠加算法 晶体 动态演化过程 数值分析方法 笛卡尔坐标系 离散元法 滑移系统 演化机制 边界元法 定义特征 晶面 计算方法 框架 指数 椭圆形
系统为您推荐了相关专利信息
1
单电子晶体管射频反射测量结构及其制备方法
单电子晶体管 量子点 柱塞 射频 引线
2
一种芯片封装可靠性仿真装置及方法
仿真装置 仿真软件 仿真分析 疲劳寿命分析 可视化界面
3
基于DSL语言的电路逻辑建模与自动生成方法
自动生成方法 电路布局 电子设计自动化 自动布线 逻辑
4
一种小型石英晶体谐振器外观缺陷AI检测方法及设备
石英晶体谐振器 AI检测方法 光纤传感器 反光 正面
5
芯片中存储器的控制电路、方法、装置和存储介质
MCU芯片 复位电路 晶体管 存储器 电源模块
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号