静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路

本申请提供一种静电放电防护电路、GaAs基半导体芯片及射频集成电路，该静电放电防护电路包括连接于静电放电风险点处的钳位电路，所述钳位电路包括多个正向串联连接的第一类型二极管和第二类型二极管；所述第一类型二极管的数量大于所述第二类型二极管的数量；所述第二类型二极管的正向耐受电压大于所述第一类型二极管的正向耐受电压；所述钳位电路的压降总和大于所述静电放电风险点处的供电电压。