一种采用CaN二维电子气膜的霍尔片及其制备方法与应用

本发明涉及一种采用CaN二维电子气膜的霍尔片及其制备方法与应用，霍尔片由下到上依次包括衬底、成核层、缓冲层、插入层和势垒层，组成多层膜，多层膜中部截面为矩形，两侧对称设置有4处台面，势垒层上侧设置有4处欧姆金属，台面和欧姆金属上覆盖有PAD金属，欧姆金属和PAD金属上方设置有SiO2钝化层。本发明霍尔片的高电子迁移率大幅提升磁场灵敏度，支持200°C以上稳定工作，具有更高的频响应能力（GHz级），适配高速检测场景。