栅源短路的SiC MOS器件失效分析方法及相关设备

本申请提供一种栅源短路的SiC MOS器件失效分析方法及相关设备，其中，失效分析方法响应于确定源极和漏极的功能特性无异常情况，基于碳化硅材料特性与MOS器件失效机理，针对栅极与源极的短路故障的原因进行分析，包括以下步骤：通过干燥芯片判断是否存在内部水汽导致的栅源化学搭接；开封芯片显露出芯片内部，并对芯片进行测试，判断是否出现高温导致的金属化层迁移短路；分析栅氧化层是否存在高电场应力导致的击穿；本申请提供的失效分析方法能够准确分析出SiC MOS器件失效的原因，解决了传统手段无法定位SiC MOS器件微观缺陷的问题。