2.5D衬底制作方法和封装结构

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2.5D衬底制作方法和封装结构
申请号:CN202511014846
申请日期:2025-07-23
公开号:CN120527238B
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本申请提供的一种2.5D衬底制作方法和封装结构,涉及半导体封装技术领域。该2.5D衬底制作方法包括:提供中介层,其中,中介层内具有导电柱。去除部分中介层以使导电柱部分凸出于中介层的表面。在中介层露出导电柱的一侧形成绝缘层。在绝缘层远离中介层的一侧开设第一凹槽。在绝缘层上形成覆膜层;覆膜层盖住第一凹槽的槽口,以形成第一空腔。在覆膜层上形成设有第一布线层的第一介质层;第一布线层和导电柱电连接。该衬底制作中,通过设置绝缘层和覆膜层对导电柱起到更好的保护作用,防止导电柱在封装过程中的隐裂和损坏。并且形成第一空腔,有利于缓减翘曲,提升散热,起到缓冲作用。
技术关键词
衬底制作方法 封装结构 中介层 填充体 介质 导电柱 布线 空腔 电子元件 凹槽 散热盖 凸点 芯片 半导体封装技术 基板 覆膜方式 金属环
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