一种基于钼片的TVS二极管

本发明公开了一种基于钼片的TVS二极管，该二极管包括圆形硅芯片、钼片支撑层、五价无铅纳米焊料连接层和硅胶封装层，芯片与钼片之间通过Sn‑Bi‑Cu‑Ag‑In无铅焊料连接，焊料中添加Mg助熔剂和纳米氧化铝颗粒以提高焊接强度和热稳定性，所述钼片具有接近硅材料的热膨胀系数，能有效缓冲热应力，防止芯片开裂，圆形芯片结构优化应力分布，提升抗冲击能力，外部采用柔性硅胶封装，具有良好的绝缘性、耐高低温性和电晕抑制能力，本发明结构紧凑、封装兼容性好，适用于高可靠浪涌抑制场合。