一种功率半导体模块三维堆叠垂直换流低感封装结构

本发明属于半导体器件封装技术领域，公开了一种功率半导体模块三维堆叠垂直换流低感封装结构；将两个垂直换流结构堆叠集成在同一个基板上；区别于传统二维封装将所有元件平铺在二维平面上，首次提出适用于功率器件的三维堆叠封装，将功率回路堆叠集成；堆叠的功率回路磁通相消，实现超低感(pH级)集成；在基板面积相同的情况下，使模块的容量增大一倍；同时兼顾动态均流设计，首次实现一颗驱动芯片同时驱动8颗GaN芯片并联动态均流；适用于多种拓扑结构包括半桥、全桥、三电平ANPC等；适用于多种封装方案，包括PCB on DBC封装、DBC基板焊接/烧结封装、嵌入式封装。本发明以半桥模块双面并联PCB on DBC的封装为例，实现了低感、低热阻和高功率密度集成。