一种发光二极管封装结构及其制备方法

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一种发光二极管封装结构及其制备方法
申请号:CN202411381134
申请日期:2024-09-30
公开号:CN118888668B
公开日期:2024-12-27
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种发光二极管封装结构及其制备方法,所述发光二极管封装结构包括发光二极管芯片、色转换膜和第一反射膜,所述色转换膜设置在所述发光二极管芯片的出光面上,所述第一反射膜设置在所述色转换膜的侧壁上;其中,所述色转换膜包括在所述发光二极管芯片的出光面上依次层叠设置的第一透明保护层、色转换层和第二透明保护层。本申请提供的发光二极管封装结构中,设置在所述色转换膜的侧壁上的所述第一反射膜能够减小出光角度,增加正面出光,并且,由于所述色转换层的外侧设置有透明保护层,进而能够在研磨过程中,对色转换层进行保护,从而能够使发光二极管封装结构的色温区间处于正常范围,提高发光二极管封装结构的生产良率。
技术关键词
发光二极管封装结构 透明保护层 发光二极管芯片 色转换膜 反射膜 基底层 粗糙度 荧光粉 上沉积 层叠 良率 粘膜 硅胶 涂覆 正面
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