半导体器件及其制备方法、芯片

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电极与金刚石衬底表面的粘附性较差问题；所述半导体器件包括金刚石衬底、介质层、电极和栅极；介质层设于金刚石衬底的一侧；栅极设于介质层远离金刚石衬底的一侧；电极设于金刚石衬底的一侧，且与介质层位于金刚石衬底的同一侧；电极包括第一电极和第二电极，介质层至少部分设于第一电极和第二电极之间；栅极设于所述介质层远离金刚石衬底的一侧；其中，电极包括第一金属层；第一金属层的材料包括：第一金属和第一金属的金属碳化物，第一金属的金属碳化物位于第一金属层靠近金刚石衬底的一侧。