大面阵CMOS传感器列级固定模式噪声校正方法

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正文
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大面阵CMOS传感器列级固定模式噪声校正方法
申请号:CN202511023708
申请日期:2025-07-24
公开号:CN120751285A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明公开了大面阵CMOS传感器列级固定模式噪声校正方法,属于CMOS图像传感器技术领域。本发明包括采集原始图像,在均匀光照下采集大面阵CMOS传感器的原始图像,计算图像上下部分每列均值比,拟合校正曲线法,根据各列均值比的变化趋势,拟合一条平滑曲线,利用拟合曲线对图像下半部分逐列校正。本发明利用比值拟合曲线校正大面阵CMOS列级噪声,使得在购买大面阵CMOS芯片时,不需要筛选芯片,可以校正所有由于斜坡误差引起的列级噪声,大大节省了生产成本,通过该方法校正后,CMOS的列级固定噪声得以修正,整个面阵的像素在同一光照下响应一致,通过拟合曲线平滑处理,避免相邻列亮度突变,大大提高了图像质量。
技术关键词
模式噪声 校正方法 图像 传感器 曲线 像素 光照 芯片 计算方法 多项式 斜坡 索引 亮度 理论 线性 误差
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