重叠结构梳齿电容式Z轴加速度敏感芯片及其制造方法

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重叠结构梳齿电容式Z轴加速度敏感芯片及其制造方法
申请号:CN202510192140
申请日期:2025-02-21
公开号:CN120102927A
公开日期:2025-06-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了重叠结构梳齿电容式Z轴加速度敏感芯片及其制造方法,属于MEMS传感器技术领域。该敏感芯片由梳齿电容层和弹性梁结构层重叠放置构成,二者之间通过氧化层键合在一起。除阻尼系数小的优势外,还具有以下三方面优点:一是梳齿电容与弹性梁重叠放置的结构无需额外占用芯片面积,利于微小型化的同时还可降低芯片成本;二是梳齿电容与弹性梁重叠放置的结构,避免了平面放置时弹性梁占用质量块周围分布梳齿的空间,大幅增加了梳齿数量,有效增大了梳齿结构的电容量;三是重叠结构使弹性梁可以在质量块周围对称分布,显著降低了X轴和Y轴方向的交叉耦合影响。
技术关键词
加速度敏感芯片 梳齿电容 重叠结构 单晶硅 SOI基片 MEMS传感器技术 加速度检测电路 湿法刻蚀技术 制作盖板 刻蚀通孔 阳极键合 梳齿结构 层区域 玻璃片 基础 半导体
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