功率半导体器件的制备参数优化方法、装置、设备及介质

本发明涉及功率半导体器件制备技术领域，公开了一种功率半导体器件的制备参数优化方法、装置、设备及介质，方法包括：获取功率半导体器件的多种表征数据和当前制备参数，当前制备参数为当前制备功率半导体器件所采用的工艺参数；获取提示词，提示词用于指示目标模型对表征数据进行分析的方向以及用于指示当前制备参数的优化方向，目标模型为引入强化学习算法的大语言模型；将多种表征数据、当前制备参数和提示词输入目标模型进行分析优化，得到功率半导体器件的目标制备参数，目标制备参数是预测的使功率半导体器件在优化方向上的性能达到最优的工艺参数。本发明可以实时优化制备参数，适应新器件结构和工艺的变化。