降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质

本申请提供了一种降低错误比特位数方法、装置、存储控制芯片及存储介质。该方法包括：读取Flash的预设偏移电压，并得到预设偏移电压与之匹配的错误比特位数值；根据第一调整方法对预设偏移电压进行右偏调整，得到错误比特位数变化值超出变化阈值的第一偏移电压；根据第二调整方法对预设偏移电压进行左偏调整，得到错误比特位数变化值超出变化阈值的第二偏移电压；利用二次函数特性，基于第一偏移电压和第二偏移电压，得到目标偏移电压。本申请根据得到第一偏移电压和第二偏移电压，利用类比二次函数曲线的特点，得到目标偏移电压，目标偏移电压能够有效地降低Flash错误比特位数，保证Flash读数据的准确性。