一种测量半导体外延结构厚度的方法

本发明公开了一种测量半导体外延结构厚度的方法，涉及半导体激光器检测技术领域。本发明先通过划片解理或切割或断裂处理得到洁净、平整且无污染的外延端面，并采用含有酸性、氧化物等组分腐蚀端面，由于各外延层的成分不同或掺杂浓度不同，其与混合溶液发生化学反应的速率也各不同，最终可导致经混合溶液腐蚀的外延层端面在扫描电子显微镜下呈现阶梯状形貌，通过此形貌，就可以显著区分各外延层的边界，从而准确测量每个外延层的厚度，解决了现有技术操作复杂、成本高、效率低及结构解析能力不足的问题，为外延层厚度测量提供了高效、精确的解决方案。