摘要
本发明提供了一种芯片失效测试方法,包括:提供待测试的芯片,芯片包括多个呈多行和多列形式存在的存储单元,每行存储单元的字线均连通,每行存储单元的源线均连通,其中,每个存储单元包括源线、浮栅和字线,浮栅位于源线的两侧并通过浮栅侧墙隔开,字线位于浮栅与源线相对的一侧,字线与浮栅通过隧穿氧化层隔开;对所有存储单元均写入“00”;对字线施加‑5V~0V的电压,对源线施加10V~15V的电压;对所有存储单元进行读“00”操作;若任一存储单元读取的值非“00”,则判断芯片失效。本发明提前筛选出了数据保持能力较低的存储单元,防止了浮栅异常的存储单元流入下一测试单元,并且提高了芯片质量。
技术关键词
失效测试方法
存储单元
芯片
隧穿氧化层
浮栅
栅氧化层
多晶硅
电压
筛选方法
位线
衬底
数据
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生成测试报告
测试程序生成方法
可执行程序代码
低压差线性稳压器
测试平台
测试程序生成装置