垂直LED芯片及其制备方法

本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种垂直LED芯片及其制备方法。垂直LED芯片的制备方法包括：在图形化衬底上依次形成N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、电流阻挡层、P型导电反射层、绝缘层、N型导电反射层和金属键合层，然后与导电基板键合，去除图形化衬底；将N型半导体层的凸起部减薄，台阶刻蚀，形成钝化保护层、P电极。其中，减薄后凸起部的高度小于等于1.5μm，且减薄后凸起部的侧壁的倾斜角度与减薄前凸起部的侧壁的倾斜角度之差小于等于10°。实施本发明，可提升垂直LED芯片的亮度和可靠性。