一种面向微型晶振芯片的温漂补偿方法

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一种面向微型晶振芯片的温漂补偿方法
申请号:CN202511070650
申请日期:2025-07-31
公开号:CN120891438A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种面向微型晶振芯片的温漂补偿方法,具体涉及电磁干扰信号测定所进行的温漂补偿领域,包括在微型晶振芯片的温度采样通道周围布设双轴霍尔传感器阵列,对芯片运行环境中的低频电磁场进行空间分布采集,并生成用于表征寄生电磁干扰行为的电磁扰动信号;将所述电磁扰动信号与温度采样通道中获取的热响应信号执行异频卷积处理,提取其中与电磁干扰行为相关的耦合响应特征,并构建电磁寄生注入行为的频谱拟合模板。通过在温度采样路径外同步引入低频电磁扰动感知通道,构建干扰识别、剥离与补偿动态联动机制,以实现对温度响应信号中潜伏电磁干扰成分的主动检测与修正,从而解决现有技术中频率补偿误调和长期偏移积累的问题。
技术关键词
补偿方法 霍尔传感器阵列 电磁干扰成分 干扰特征 霍尔传感单元 频率响应 芯片 序列 磁感应强度 模板 低频电磁场 滑动窗口 幅值 信号 矩阵 生成更新参数 偏差 数据
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