半导体器件及其制造方法、工作方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、工作方法，半导体器件包括：衬底；多个深沟槽电容器单元，每个深沟槽电容器单元包含至少一个深沟槽、导电材料层和介电材料层，所述至少一个深沟槽形成于衬底中，导电材料层与介电材料层依次交替共形地形成在所述至少一个深沟槽内且延伸至所述至少一个深沟槽外围的衬底上，相邻导电材料层之间通过介电材料层电性隔离；MOS管，形成于相邻深沟槽电容器单元之间的衬底中，MOS管分别与其两侧的深沟槽电容器单元中奇数层或者偶数层导电材料层电连接，通过控制MOS管的导通或关断来控制相邻深沟槽电容器单元连通或断开。本发明的技术方案使得能够避免降低芯片的良率。