一种表征碳化硅MOSFET分立器件封装老化的测量方法及装置

本发明公开一种表征碳化硅MOSFET分立器件封装老化的测量方法及装置，涉及半导体工况安全检测技术领域。本发明方法通过负载电流的电参数来表征键合线退化情况，无需改变器件原本的工作状态，通过测量电流的工具监测电路中的负载电流，与使用本发明提供的计算方法得到的负载电流作对比，两者差值的大小可以用来表征键合线退化的程度。同时，负载电流的的两个电参数任意改变都能实现本发明想要实现的功能，只要这两个参数与结温和负载电流都相关，就能够实现该功能。