一种半导体结构的制备方法及堆叠结构

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及堆叠结构，其中，所述制备方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，芯片区和切割区位于第一表面上；将芯片区远离衬底一侧的表面与载片键合；对衬底的第二表面执行第一减薄工艺；自衬底的第二表面执行第一分割工艺，以形成多个第一分割槽。沿第一分割槽所在的位置执行第二分割工艺，以形成第二分割槽，第二分割槽贯穿相邻芯片区之间的切割区，第一晶圆基于第一分割槽和第二分割槽分离为多个芯片；其中，芯片位于衬底上的部分的边缘相对于衬底的边缘向外偏移，且第二分割槽的侧壁与平行于衬底平面的方向的夹角大于预设值；去除载片。