压电薄膜声学传感器封装设计方法、装置及系统

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压电薄膜声学传感器封装设计方法、装置及系统
申请号:CN202511144388
申请日期:2025-08-15
公开号:CN120724622B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种压电薄膜声学传感器封装设计方法、装置及系统,所述压电薄膜声学传感器封装设计方法包括获取预先构建的多物理场耦合优化模型,所述多物理场耦合优化模型的目标函数以最大化声压灵敏度、最小化频率偏移和最小化寄生共振幅值为目标构建而成;采用贝叶斯全局优化算法,求解所述多物理场耦合优化模型,得到压电薄膜声学传感器封装参数,所述贝叶斯全局优化算法中采用CNN模型作为代理优化模型,用于拟合所述多物理场耦合优化模型的目标函数,在求解过程中,根据环境参数动态调整不同优化子目标的权重,优化子目标包括最大化声压灵敏度、最小化频率偏移和最小化寄生共振幅值。本发明能够提高压电薄膜声学传感器的抗干扰性和稳定性。
技术关键词
压电薄膜 声学传感器 封装设计方法 全局优化算法 物理 参数 振动传感器 共振频率 PID算法 刚度 幅值 动态 设计系统 表达式 谐振 数学 频段 方程 电压
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